casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / R6001230XXYA
Número da peça de fabricante | R6001230XXYA |
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Número da peça futura | FT-R6001230XXYA |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
R6001230XXYA Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Atual - Média Retificada (Io) | 300A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 800A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 13µs |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 50mA @ 1200V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Chassis, Stud Mount |
Pacote / caso | DO-205AB, DO-9, Stud |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-205AB, DO-9 |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R6001230XXYA Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | R6001230XXYA-FT |
HER303GA-G
Comchip Technology
HER303GT-G
Comchip Technology
HER304GA-G
Comchip Technology
HER304GT-G
Comchip Technology
HER305GA-G
Comchip Technology
HER305GT-G
Comchip Technology
HER306GA-G
Comchip Technology
HER306GT-G
Comchip Technology
HER307GA-G
Comchip Technology
HER307GT-G
Comchip Technology
XCS40XL-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
5SGSED6N2F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel