casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / R6000830XXYA
Número da peça de fabricante | R6000830XXYA |
---|---|
Número da peça futura | FT-R6000830XXYA |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
R6000830XXYA Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Atual - Média Retificada (Io) | 300A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | - |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 13µs |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 50mA @ 800V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Stud Mount |
Pacote / caso | DO-205AB, DO-9, Stud |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-205AB, DO-9 |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R6000830XXYA Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | R6000830XXYA-FT |
HER301GA-G
Comchip Technology
HER301GT-G
Comchip Technology
HER302GA-G
Comchip Technology
HER302GT-G
Comchip Technology
HER303GA-G
Comchip Technology
HER303GT-G
Comchip Technology
HER304GA-G
Comchip Technology
HER304GT-G
Comchip Technology
HER305GA-G
Comchip Technology
HER305GT-G
Comchip Technology
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel