casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / R6000825XXYA
Número da peça de fabricante | R6000825XXYA |
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Número da peça futura | FT-R6000825XXYA |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
R6000825XXYA Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Atual - Média Retificada (Io) | 250A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | - |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 11µs |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 50mA @ 800V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Stud Mount |
Pacote / caso | DO-205AB, DO-9, Stud |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-205AB, DO-9 |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R6000825XXYA Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | R6000825XXYA-FT |
GLPB3460G1K1457XPSA1
Infineon Technologies
HER301GA-G
Comchip Technology
HER301GT-G
Comchip Technology
HER302GA-G
Comchip Technology
HER302GT-G
Comchip Technology
HER303GA-G
Comchip Technology
HER303GT-G
Comchip Technology
HER304GA-G
Comchip Technology
HER304GT-G
Comchip Technology
HER305GA-G
Comchip Technology
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel