casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / R5011ANX
Número da peça de fabricante | R5011ANX |
---|---|
Número da peça futura | FT-R5011ANX |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
R5011ANX Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 500V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 mOhm @ 5.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 50W (Tc) |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220FM |
Pacote / caso | TO-220-3 Full Pack |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R5011ANX Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | R5011ANX-FT |
TK6P53D(T6RSS-Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK7P50D(T6RSS-Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK80S04K3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK80S06K3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK8S06K3L(T6L1,NQ)
Toshiba Semiconductor and Storage
IRFI4110GPBF
Infineon Technologies
IRLI530NPBF
Infineon Technologies
IRFI4321PBF
Infineon Technologies
IRLI2910PBF
Infineon Technologies
IRLI520NPBF
Infineon Technologies
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F40I3N
Intel
XCS05-3PC84C
Xilinx Inc.
XC2V4000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG144
Microsemi Corporation
EP3SL150F780C4LN
Intel
EPF10K30RC240-4N
Intel
EP1S60F1020C5N
Intel