casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / R1RW0408DGE-2LR#B0
Número da peça de fabricante | R1RW0408DGE-2LR#B0 |
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Número da peça futura | FT-R1RW0408DGE-2LR#B0 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
R1RW0408DGE-2LR#B0 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Last Time Buy |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | SRAM |
Tecnologia | SRAM |
Tamanho da memória | 4Mb (512K x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 12ns |
Tempo de acesso | 12ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 36-SOJ |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R1RW0408DGE-2LR#B0 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | R1RW0408DGE-2LR#B0-FT |
PC28F256M29EWHD
Micron Technology Inc.
PC28F256M29EWLB TR
Micron Technology Inc.
PC28F256M29EWLD
Micron Technology Inc.
PC28F256P30B2E
Micron Technology Inc.
PC28F256P30B2F TR
Micron Technology Inc.
PC28F256P30BFB TR
Micron Technology Inc.
PC28F256P30BFF TR
Micron Technology Inc.
PC28F256P30T2E
Micron Technology Inc.
PC28F256P33B2E
Micron Technology Inc.
PC28F256P33B2F TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel