casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes / QSZ4TR
Número da peça de fabricante | QSZ4TR |
---|---|
Número da peça futura | FT-QSZ4TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
QSZ4TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN, PNP (Emitter Coupled) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 2A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 30V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 370mV @ 75mA, 1.5A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 270 @ 200mA, 2V |
Potência - Max | 1.25W |
Freqüência - Transição | 280MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TSMT5 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
QSZ4TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | QSZ4TR-FT |
HN1B04FE-GR,LF
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