casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes / QSZ2TR
Número da peça de fabricante | QSZ2TR |
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Número da peça futura | FT-QSZ2TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
QSZ2TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN, PNP (Emitter Coupled) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 1.5A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 30V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 350mV @ 50mA, 1A / 370mV @ 50mA, 1A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 270 @ 100mA, 2V |
Potência - Max | 1.25W |
Freqüência - Transição | 300MHz, 280MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TSMT5 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
QSZ2TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | QSZ2TR-FT |
HN2A01FU-GR(TE85LF
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HN1A01FE-Y,LF
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HN1B04FE-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1C01FE-GR,LF
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HN1A01FE-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1B04FE-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1C01FE-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2A01FE-GR(TE85LF
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HN2A01FE-Y(TE85L,F
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HN2C01FE-GR(T5L,F)
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XC3S1000-4FGG676C
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M1A3PE3000L-FGG484
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EP4CE10F17C7N
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5AGXBA7D6F27C6N
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EP3C16E144I7
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EP4SE530F43I3
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XC4008E-3PC84I
Xilinx Inc.
XC4VLX100-11FFG1148C
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQ100
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200HC-6MG132I
Lattice Semiconductor Corporation