casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes / QSZ1TR
Número da peça de fabricante | QSZ1TR |
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Número da peça futura | FT-QSZ1TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
QSZ1TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo de transistor | NPN, PNP (Emitter Coupled) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 2A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 15V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 180mV @ 50mA, 1A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 270 @ 200mA, 2V |
Potência - Max | 500mW |
Freqüência - Transição | 360MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TSMT5 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
QSZ1TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | QSZ1TR-FT |
HN2C01FU-Y(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2A01FU-GR(TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1A01FE-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1B04FE-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1C01FE-GR,LF
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HN1A01FE-GR,LF
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HN1B04FE-Y,LF
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HN1C01FE-Y,LF
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HN2A01FE-GR(TE85LF
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HN2A01FE-Y(TE85L,F
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XC3S250E-5TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256ZE-1TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256E-3TN100I
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A3P250-1FG256
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M1A3P600-PQ208I
Microsemi Corporation
XC7A100T-L2CSG324E
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-9400C-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6U19A7N
Intel
EP2AGX95EF35C4N
Intel