casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes / QSZ1TR
Número da peça de fabricante | QSZ1TR |
---|---|
Número da peça futura | FT-QSZ1TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
QSZ1TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo de transistor | NPN, PNP (Emitter Coupled) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 2A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 15V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 180mV @ 50mA, 1A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 270 @ 200mA, 2V |
Potência - Max | 500mW |
Freqüência - Transição | 360MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TSMT5 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
QSZ1TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | QSZ1TR-FT |
HN2C01FU-Y(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2A01FU-GR(TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1A01FE-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1B04FE-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1C01FE-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1A01FE-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1B04FE-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1C01FE-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2A01FE-GR(TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2A01FE-Y(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO640C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3SD3400A-4CSG484I
Xilinx Inc.
XCS05-3VQ100I
Xilinx Inc.
10CX220YU484I5G
Intel
5SGXEA9K2H40C2N
Intel
XC5VLX30-1FF324I
Xilinx Inc.
M1AFS1500-1FGG676
Microsemi Corporation
LFE2-12E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U1F45E1SG
Intel