casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / QS8J2TR
Número da peça de fabricante | QS8J2TR |
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Número da peça futura | FT-QS8J2TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
QS8J2TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Recurso FET | Logic Level Gate, 1.5V Drive |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 12V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 4A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36 mOhm @ 4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1940pF @ 6V |
Potência - Max | 550mW |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-SMD, Flat Lead |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TSMT8 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
QS8J2TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | QS8J2TR-FT |
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Lattice Semiconductor Corporation
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EP3C16F256C8N
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XC4VLX25-11FFG676C
Xilinx Inc.
A42MX09-1PL84I
Microsemi Corporation
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EP20K400CB652C8
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EP4SGX290FF35C3N
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