casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / QRD3310002
Número da peça de fabricante | QRD3310002 |
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Número da peça futura | FT-QRD3310002 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
QRD3310002 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Configuração de diodo | 1 Pair Series Connection |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 3300V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 90A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 4.3V @ 100A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 1.2µs |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5mA @ 3300V |
Temperatura de funcionamento - junção | - |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
QRD3310002 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | QRD3310002-FT |
MSAD60-18
Microsemi Corporation
MSAD70-08
Microsemi Corporation
MSAD70-12
Microsemi Corporation
MSAD70-16
Microsemi Corporation
MSAD70-18
Microsemi Corporation
MSCD100-18
Microsemi Corporation
MSCD120-18
Microsemi Corporation
MSCD165-18
Microsemi Corporation
MSCD200-18
Microsemi Corporation
MSCD36-18
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FG456C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AGLE3000V2-FGG484
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC484-3
Intel
5SGXMA5N2F40I3N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP3SE110F1152C4N
Intel
XC2V1500-4BG575I
Xilinx Inc.
5CEFA5U19C6N
Intel
10AX090N2F40E1SG
Intel