casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / QRD1210T30
Número da peça de fabricante | QRD1210T30 |
---|---|
Número da peça futura | FT-QRD1210T30 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
QRD1210T30 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Configuração de diodo | 1 Pair Series Connection |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 53A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 3.5V @ 100A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 250ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1mA @ 1200V |
Temperatura de funcionamento - junção | - |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
QRD1210T30 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | QRD1210T30-FT |
MSAD200-12
Microsemi Corporation
MSAD200-18
Microsemi Corporation
MSAD36-08
Microsemi Corporation
MSAD36-12
Microsemi Corporation
MSAD36-16
Microsemi Corporation
MSAD36-18
Microsemi Corporation
MSAD60-08
Microsemi Corporation
MSAD60-12
Microsemi Corporation
MSAD60-16
Microsemi Corporation
MSAD60-18
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
10AX032H3F34I2SG
Intel
XC4005-5PC84C
Xilinx Inc.
A3PE1500-1FGG676
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45I1SG
Intel
10AX115R3F40I3SGES
Intel
5AGTMC7G3F31I5N
Intel