casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / QRD1210004
Número da peça de fabricante | QRD1210004 |
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Número da peça futura | FT-QRD1210004 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
QRD1210004 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 2 Independent |
Tipo de Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 100A (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 100A |
Rapidez | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 0ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1mA @ 1200V |
Temperatura de funcionamento - junção | - |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
QRD1210004 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | QRD1210004-FT |
MSAD165-18
Microsemi Corporation
MSAD200-08
Microsemi Corporation
MSAD200-12
Microsemi Corporation
MSAD200-18
Microsemi Corporation
MSAD36-08
Microsemi Corporation
MSAD36-12
Microsemi Corporation
MSAD36-16
Microsemi Corporation
MSAD36-18
Microsemi Corporation
MSAD60-08
Microsemi Corporation
MSAD60-12
Microsemi Corporation
LCMXO640C-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S500E-5FGG320C
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A54SX72A-FG484I
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AFS600-1FG484K
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A3PN060-Z1VQ100
Microsemi Corporation
5SGXMA4K3F40I3N
Intel
10M08SAU169I7G
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5SGXEB5R2F43I2LN
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EP2S60F1020C3N
Intel