casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / QRC0630R30
Número da peça de fabricante | QRC0630R30 |
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Número da peça futura | FT-QRC0630R30 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
QRC0630R30 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 210A (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 2.5V @ 210A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 120ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1mA @ 600V |
Temperatura de funcionamento - junção | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
QRC0630R30 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | QRC0630R30-FT |
MDMA140P1600TG
IXYS
MDMA200P1600SA
IXYS
MDMA35P1200TG
IXYS
MDMA35P1600TG
IXYS
MDMA380P1600KC
IXYS
MDMA50P1200TG
IXYS
MDMA50P1600TG
IXYS
MDMA65P1200TG
IXYS
MDMA65P1600TG
IXYS
MDMA85P1200TG
IXYS
XC3S1000-4FG456C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AGLE3000V2-FGG484
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC484-3
Intel
5SGXMA5N2F40I3N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP3SE110F1152C4N
Intel
XC2V1500-4BG575I
Xilinx Inc.
5CEFA5U19C6N
Intel
10AX090N2F40E1SG
Intel