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Infineon Technologies PTAB182002TCV2R250XTMA1

Name: PTAB182002TCV2R250XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: PTAB182002TCV2R250XTMA1
Availability: InStock
Rating: 4.6 (100 reviews)

Número da peça MFG: PTAB182002TCV2R250XTMA1

Quantidade disponível: 35260 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: - IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - RF

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: PTAB182002TCV2R250XTMA1.pdf

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PTAB182002TCV2R250XTMA1 Especificações

Número da peça de fabricante	PTAB182002TCV2R250XTMA1
Número da peça futura	FT-PTAB182002TCV2R250XTMA1
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
PTAB182002TCV2R250XTMA1 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo de transistor	LDMOS
Freqüência	1.805GHz ~ 1.88GHz
Ganho	14.8dB
Tensão - Teste	28V
Classificação atual	10µA
Figura de ruído	-
Atual - teste	520mA
Potência	29W
Voltagem - Rated	65V
Pacote / caso	H-49248H-4
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	H-49248H-4
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PTAB182002TCV2R250XTMA1 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	PTAB182002TCV2R250XTMA1-FT

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