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Infineon Technologies PTAB182002TCV2R250XTMA1
- Número da peça MFG
- PTAB182002TCV2R250XTMA1
- Quantidade disponível
- 35260 Peças
- Preço de referência
- USD 0
- Nosso preço
- Temos um grande desconto, entre em contato conosco
- Data de envio
- Podemos enviar hoje
- fabricante
- Infineon Technologies
- Descrição breve
- - IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4
- Status sem chumbo / status RoHS
- Compatível com RoHS (sem chumbo)
- Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código da data (D / C)
- Novo
- Categoria de Produto
- Transistores - FETs, MOSFETs - RF
- Recurso de estoque
- Distribuidor Franqueado
- garantia
- Garantia de qualidade de 360 dias
- Ficha de dados
- PTAB182002TCV2R250XTMA1.pdf
PTAB182002TCV2R250XTMA1 Especificações
| Número da peça de fabricante | PTAB182002TCV2R250XTMA1 |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-PTAB182002TCV2R250XTMA1 |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| PTAB182002TCV2R250XTMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Obsolete |
| Tipo de transistor | LDMOS |
| Freqüência | 1.805GHz ~ 1.88GHz |
| Ganho | 14.8dB |
| Tensão - Teste | 28V |
| Classificação atual | 10µA |
| Figura de ruído | - |
| Atual - teste | 520mA |
| Potência | 29W |
| Voltagem - Rated | 65V |
| Pacote / caso | H-49248H-4 |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | H-49248H-4 |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| PTAB182002TCV2R250XTMA1 Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | PTAB182002TCV2R250XTMA1-FT |
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