casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / PSMN9R0-30LL,115
Número da peça de fabricante | PSMN9R0-30LL,115 |
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Número da peça futura | FT-PSMN9R0-30LL,115 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
PSMN9R0-30LL,115 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 21A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.15V @ 1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 20.6nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1193pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 50W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-DFN3333 (3.3x3.3) |
Pacote / caso | 8-VDFN Exposed Pad |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN9R0-30LL,115 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | PSMN9R0-30LL,115-FT |
SPB100N03S2L03T
Infineon Technologies
SPB100N04S2-04
Infineon Technologies
SPB100N04S2L-03
Infineon Technologies
SPB100N06S2-05
Infineon Technologies
SPB100N06S2L-05
Infineon Technologies
SPB100N08S2-07
Infineon Technologies
SPB100N08S2L-07
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SPB10N10
Infineon Technologies
SPB10N10 G
Infineon Technologies
SPB10N10L
Infineon Technologies
XC3S200A-4FT256I
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XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
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AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C50F672I8
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XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel