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NXP USA Inc. PSMN8R0-30YL,115

Name: PSMN8R0-30YL,115
Brand: NXP USA Inc.
SKU: PSMN8R0-30YL,115
Availability: InStock
Rating: 4.6 (435 reviews)

Número da peça MFG: PSMN8R0-30YL,115

Quantidade disponível: 68340 Peças

Preço de referência: USD 0

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fabricante: NXP USA Inc.

Descrição breve: TrenchMOS™ MOSFET N-CH 30V 62A LFPAK

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: PSMN8R0-30YL,115.pdf

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PSMN8R0-30YL,115 Especificações

Número da peça de fabricante	PSMN8R0-30YL,115
Número da peça futura	FT-PSMN8R0-30YL,115
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	TrenchMOS™
PSMN8R0-30YL,115 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	62A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.3 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.15V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	18.3nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1005pF @ 15V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	56W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	LFPAK56, Power-SO8
Pacote / caso	SC-100, SOT-669
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PSMN8R0-30YL,115 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	PSMN8R0-30YL,115-FT

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