casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / PSMN6R1-30YLDX
Número da peça de fabricante | PSMN6R1-30YLDX |
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Número da peça futura | FT-PSMN6R1-30YLDX |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
PSMN6R1-30YLDX Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 66A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 13.6nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 817pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 47W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | LFPAK56, Power-SO8 |
Pacote / caso | SC-100, SOT-669 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN6R1-30YLDX Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | PSMN6R1-30YLDX-FT |
BUK9Y7R2-60E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y7R6-40E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y7R8-80E,115
NXP USA Inc.
BUK9Y8R5-80EX
Nexperia USA Inc.
BUK9Y98-80E,115
NXP USA Inc.
BUK9Y9R9-80E,115
NXP USA Inc.
PH16030L,115
NXP USA Inc.
PH1730AL,115
Nexperia USA Inc.
PH1825AL,115
NXP USA Inc.
PH1875L,115
NXP USA Inc.
XC4052XL-2HQ304I
Xilinx Inc.
EP3SL200F1517I4
Intel
XC2V1000-5BGG575I
Xilinx Inc.
LFXP6E-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F29E3SG
Intel
EP3C120F780I7
Intel
EPF8452AQC160-3
Intel
5SGSMD3H2F35C1N
Intel