casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / PSMN4R1-60YLX
Número da peça de fabricante | PSMN4R1-60YLX |
---|---|
Número da peça futura | FT-PSMN4R1-60YLX |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchMOS™ |
PSMN4R1-60YLX Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.1 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 103nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 7853pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 238W (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | LFPAK56, Power-SO8 |
Pacote / caso | SC-100, SOT-669 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN4R1-60YLX Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | PSMN4R1-60YLX-FT |
NP89N03ZUGP-E1
Renesas Electronics America
NP89N03ZUGW-U
Renesas Electronics America
NP89N04MUK-S18-AY
Renesas Electronics America
NP89N04NUK-S18-AY
Renesas Electronics America
NP89N04PUK-E1-AY
Renesas Electronics America
NP89N055NUK-S18-AY
Renesas Electronics America
NP89N055PUK-E1-AY
Renesas Electronics America
NP90N04MUK-S18-AY
Renesas Electronics America
NP90N04NUK-S18-AY
Renesas Electronics America
NP90N055MUK-S18-AY
Renesas Electronics America
A54SX32A-TQG176M
Microsemi Corporation
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
APA600-FG676I
Microsemi Corporation
5SGSMD6K1F40C2LN
Intel
EP4SE360H29I3
Intel
5SGXEA7N3F45C2LN
Intel
LFXP2-30E-6FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29I3
Intel
EPF10K10LC84-4N
Intel
EP4SGX360HF35I4
Intel