casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / PSMN2R8-40BS,118
Número da peça de fabricante | PSMN2R8-40BS,118 |
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Número da peça futura | FT-PSMN2R8-40BS,118 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
PSMN2R8-40BS,118 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 40V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 71nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4491pF @ 20V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 211W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D2PAK |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN2R8-40BS,118 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | PSMN2R8-40BS,118-FT |
PSMN005-55P,127
NXP USA Inc.
PSMN005-75P,127
Nexperia USA Inc.
PSMN008-75P,127
NXP USA Inc.
PSMN009-100P,127
Nexperia USA Inc.
PSMN015-110P,127
Nexperia USA Inc.
PSMN017-30PL,127
Nexperia USA Inc.
PSMN030-150P,127
Nexperia USA Inc.
PSMN035-150P,127
Nexperia USA Inc.
PSMN050-80PS,127
NXP USA Inc.
PSMN057-200P,127
Nexperia USA Inc.
A3PN015-1QNG68I
Microsemi Corporation
A1415A-PQ100I
Microsemi Corporation
M2GL025S-1VF400I
Microsemi Corporation
A10V20B-PL68C
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I3N
Intel
XC4028XL-09HQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FFG672C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE80F780C4
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel