casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / PSMN2R0-60ES,127
Número da peça de fabricante | PSMN2R0-60ES,127 |
---|---|
Número da peça futura | FT-PSMN2R0-60ES,127 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
PSMN2R0-60ES,127 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 137nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 9997pF @ 30V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 338W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | I2PAK |
Pacote / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN2R0-60ES,127 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | PSMN2R0-60ES,127-FT |
3LN01SS-TL-E
ON Semiconductor
3LP01SS-TL-E
ON Semiconductor
3LP01SS-TL-EX
ON Semiconductor
5HN01SS-TL-E
ON Semiconductor
5HN01SS-TL-H
ON Semiconductor
BST72A,112
NXP USA Inc.
PHW80NQ10T,127
NXP USA Inc.
PSMN004-55W,127
NXP USA Inc.
PSMN009-100W,127
NXP USA Inc.
PSMN020-150W,127
NXP USA Inc.
XC2VP4-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC4052XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A42MX36-PQ208I
Microsemi Corporation
M2GL090TS-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFEC10E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-3N
Intel
EP4SGX180FF35C2XN
Intel
EP1SGX25DF1020C6
Intel