casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / PSMN012-60YS,115
Número da peça de fabricante | PSMN012-60YS,115 |
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Número da peça futura | FT-PSMN012-60YS,115 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
PSMN012-60YS,115 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 59A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.1 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 28.4nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1685pF @ 30V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 89W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | LFPAK56, Power-SO8 |
Pacote / caso | SC-100, SOT-669 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN012-60YS,115 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | PSMN012-60YS,115-FT |
PMT200EPEAX
Nexperia USA Inc.
PMT21EN,115
Nexperia USA Inc.
PMT21EN,135
NXP USA Inc.
PMT280ENEAX
Nexperia USA Inc.
PMT29EN,115
NXP USA Inc.
PMT29EN,135
NXP USA Inc.
PMT760EN,115
NXP USA Inc.
PMT760EN,135
NXP USA Inc.
PMCM440VNEZ
Nexperia USA Inc.
FDZ661PZ
ON Semiconductor
XC6SLX150-3FG676I
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FG484C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LAXP2-8E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-3PL68I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I2
Intel
5SGXEBBR2H43I3L
Intel
LFEC10E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10QC208-3N
Intel