casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / PMV37EN2R
Número da peça de fabricante | PMV37EN2R |
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Número da peça futura | FT-PMV37EN2R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
PMV37EN2R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 4.5A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36 mOhm @ 4.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 6.3nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 209pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 510mW (Ta), 5W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-236AB |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMV37EN2R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | PMV37EN2R-FT |
PHB119NQ06T,118
NXP USA Inc.
PHB11N06LT,118
NXP USA Inc.
PHB129NQ04LT,118
NXP USA Inc.
PHB143NQ04T,118
NXP USA Inc.
PHB145NQ06T,118
NXP USA Inc.
PHB146NQ06LT,118
NXP USA Inc.
PHB152NQ03LTA,118
NXP USA Inc.
PHB153NQ08LT,118
NXP USA Inc.
PHB160NQ08T,118
NXP USA Inc.
PHB174NQ04LT,118
NXP USA Inc.
A54SX16A-2TQ144I
Microsemi Corporation
XC3S400-4FG320I
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FGG484I
Xilinx Inc.
5SGXMA3E1H29I2N
Intel
5SGSMD8N3F45I3N
Intel
5SGXMA4H3F35I4N
Intel
XC5VLX155-2FFG1760C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG784C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG784I
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation