casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / PMV30UN2R
Número da peça de fabricante | PMV30UN2R |
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Número da peça futura | FT-PMV30UN2R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
PMV30UN2R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 4.2A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32 mOhm @ 4.2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | ±12V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 655pF @ 10V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 490mW (Ta), 5W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-236AB |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMV30UN2R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | PMV30UN2R-FT |
PHB110NQ08LT,118
NXP USA Inc.
PHB110NQ08T,118
Nexperia USA Inc.
PHB112N06T,118
NXP USA Inc.
PHB119NQ06T,118
NXP USA Inc.
PHB11N06LT,118
NXP USA Inc.
PHB129NQ04LT,118
NXP USA Inc.
PHB143NQ04T,118
NXP USA Inc.
PHB145NQ06T,118
NXP USA Inc.
PHB146NQ06LT,118
NXP USA Inc.
PHB152NQ03LTA,118
NXP USA Inc.