casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / PMV120ENEAR
Número da peça de fabricante | PMV120ENEAR |
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Número da peça futura | FT-PMV120ENEAR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
PMV120ENEAR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 2.1A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 123 mOhm @ 2.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 7.4nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 275pF @ 30V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 513mW (Ta), 6.4W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-236AB |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMV120ENEAR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | PMV120ENEAR-FT |
PSMN4R6-60BS,118
Nexperia USA Inc.
PSMN4R8-100BSEJ
Nexperia USA Inc.
PSMN5R0-80BS,118
Nexperia USA Inc.
PSMN7R6-100BSEJ
Nexperia USA Inc.
PSMN7R6-60BS,118
Nexperia USA Inc.
PSMN8R0-40BS,118
Nexperia USA Inc.
PMCM6501UPEZ
Nexperia USA Inc.
PMCM6501VNEZ
Nexperia USA Inc.
PMCM4401UNEZ
Nexperia USA Inc.
PMCM4401VPEZ
Nexperia USA Inc.
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel