casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / PMPB12UN,115
Número da peça de fabricante | PMPB12UN,115 |
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Número da peça futura | FT-PMPB12UN,115 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
PMPB12UN,115 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 7.9A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 7.9A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | ±8V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 886pF @ 10V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 6-DFN2020MD (2x2) |
Pacote / caso | 6-UDFN Exposed Pad |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMPB12UN,115 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | PMPB12UN,115-FT |
2SK327700L
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AGL1000V2-FG256T
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A42MX24-2PQ208I
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A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
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EP3C10F256I7
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LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel