casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / PMEM4010ND,115
Número da peça de fabricante | PMEM4010ND,115 |
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Número da peça futura | FT-PMEM4010ND,115 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
PMEM4010ND,115 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN + Diode (Isolated) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 1A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 40V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 210mV @ 100mA, 1A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 500mA, 5V |
Potência - Max | 600mW |
Freqüência - Transição | 150MHz |
Temperatura de operação | 125°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SC-74, SOT-457 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 6-TSOP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMEM4010ND,115 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | PMEM4010ND,115-FT |
MMBT4355
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Xilinx Inc.
AGL250V5-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-70E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE80F780C4
Intel
EP20K1500EBC652-3
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