casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / PMEG60T10ELRX
Número da peça de fabricante | PMEG60T10ELRX |
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Número da peça futura | FT-PMEG60T10ELRX |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
PMEG60T10ELRX Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 600mV @ 1A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 13ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 650nA @ 60V |
Capacitância @ Vr, F | 245pF @ 1V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOD-123W |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOD-123W |
Temperatura de funcionamento - junção | 175°C (Max) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMEG60T10ELRX Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | PMEG60T10ELRX-FT |
1N4531,133
Nexperia USA Inc.
1N4531,143
Nexperia USA Inc.
BAS45A,143
Nexperia USA Inc.
BAT85,113
Nexperia USA Inc.
BAT85,133
Nexperia USA Inc.
BAT86,113
Nexperia USA Inc.
BAT86,133
Nexperia USA Inc.
BAS40/ZLVL
NXP USA Inc.
PMEG3010AESBYL
Nexperia USA Inc.
PMEG4010AESBYL
Nexperia USA Inc.
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel