casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / PMDXB600UNEZ
Número da peça de fabricante | PMDXB600UNEZ |
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Número da peça futura | FT-PMDXB600UNEZ |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchFET® |
PMDXB600UNEZ Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Recurso FET | Logic Level Gate |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 600mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 620 mOhm @ 600mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 0.7nC @ 4.5V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 21.3pF @ 10V |
Potência - Max | 265mW |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-XFDFN Exposed Pad |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DFN1010B-6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMDXB600UNEZ Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | PMDXB600UNEZ-FT |
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