casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / PMDXB550UNEZ
Número da peça de fabricante | PMDXB550UNEZ |
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Número da peça futura | FT-PMDXB550UNEZ |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
PMDXB550UNEZ Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Recurso FET | Standard |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 590mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 670 mOhm @ 590mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 1.05nC @ 4.5V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 30.3pF @ 15V |
Potência - Max | 285mW |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-XFDFN Exposed Pad |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DFN1010B-6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMDXB550UNEZ Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | PMDXB550UNEZ-FT |
TPCF8402(TE85L,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
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