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Número da peça de fabricante | PL8509NLT |
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Número da peça futura | FT-PL8509NLT |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | SLED |
PL8509NLT Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Toroidal |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 472µH |
Tolerância | ±10% |
Classificação atual | 560mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 1.52 Ohm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 130°C |
Frequência de Indutância - Teste | - |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.625" L x 0.525" W (15.88mm x 13.34mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.320" (8.12mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PL8509NLT Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | PL8509NLT-FT |
PL8161NLT
PulseR
PL8161T
PulseR
PL8170
PulseR
PL8170NL
PulseR
PL8170NLT
PulseR
PL8170T
PulseR
PL8171
PulseR
PL8171NL
PulseR
PL8171NLT
PulseR
PL8171T
PulseR
XC3S1200E-4FT256C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA676C
Xilinx Inc.
A3P400-2FGG484
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208A
Microsemi Corporation
ICE65L04F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF27I7
Intel
EP1K10FC256-1N
Intel
A42MX16-3PQ160
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5M13C8N
Intel