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Número da peça de fabricante | PL8508NLT |
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Número da peça futura | FT-PL8508NLT |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | SLED |
PL8508NLT Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Toroidal |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 331µH |
Tolerância | ±10% |
Classificação atual | 660mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 972 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 130°C |
Frequência de Indutância - Teste | - |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Nonstandard |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.625" L x 0.525" W (15.88mm x 13.34mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.320" (8.12mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PL8508NLT Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | PL8508NLT-FT |
PL8160NLT
PulseR
PL8160T
PulseR
PL8161
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LCMXO2-4000HE-5TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K40LV-3BQC
Microchip Technology
XCVU080-H1FFVD1517E
Xilinx Inc.
XC3S1600E-4FG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-FG484I
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M1A3P600-2PQ208I
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG484I
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQG100
Microsemi Corporation
LFE2M50E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
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