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NXP USA Inc. PHM30NQ10T,518

Name: PHM30NQ10T,518
Brand: NXP USA Inc.
SKU: PHM30NQ10T,518
Availability: InStock
Rating: 4.9 (390 reviews)

Número da peça MFG: PHM30NQ10T,518

Quantidade disponível: 54430 Peças

Preço de referência: USD 0

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fabricante: NXP USA Inc.

Descrição breve: TrenchMOS™ MOSFET N-CH 100V 37.6A 8HVSON

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: PHM30NQ10T,518.pdf

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PHM30NQ10T,518 Especificações

Número da peça de fabricante	PHM30NQ10T,518
Número da peça futura	FT-PHM30NQ10T,518
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	TrenchMOS™
PHM30NQ10T,518 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	37.6A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	53.7nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3600pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	62.5W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	8-HVSON (6x5)
Pacote / caso	8-VDFN Exposed Pad
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PHM30NQ10T,518 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	PHM30NQ10T,518-FT

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