casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / PHKD3NQ10T,518
Número da peça de fabricante | PHKD3NQ10T,518 |
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Número da peça futura | FT-PHKD3NQ10T,518 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TrenchMOS™ |
PHKD3NQ10T,518 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Recurso FET | Logic Level Gate |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 3A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 633pF @ 20V |
Potência - Max | 2W |
Temperatura de operação | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SO |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PHKD3NQ10T,518 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | PHKD3NQ10T,518-FT |
NTLJD2104PTBG
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NTLJD3115PTAG
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LFE2-20SE-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
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Microchip Technology
5SGXEA3K2F40C1N
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EP4SGX360KF40C2N
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XC6VLX240T-2FF784I
Xilinx Inc.
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LCMXO2-2000HE-5FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VBC356-3
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