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Nexperia USA Inc. PHKD3NQ10T,518

Número da peça MFG
PHKD3NQ10T,518
Quantidade disponível
76360 Peças
Preço de referência
USD 0
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Data de envio
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fabricante
Nexperia USA Inc.
Descrição breve
TrenchMOS™ MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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PHKD3NQ10T,518 Especificações

Número da peça de fabricante PHKD3NQ10T,518
Número da peça futura FT-PHKD3NQ10T,518
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series TrenchMOS™
PHKD3NQ10T,518 Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Obsolete
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Recurso FET Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 633pF @ 20V
Potência - Max 2W
Temperatura de operação -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor 8-SO
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PHKD3NQ10T,518 Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição PHKD3NQ10T,518-FT

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