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NXP USA Inc. PHK12NQ10T,518

Name: PHK12NQ10T,518
Brand: NXP USA Inc.
SKU: PHK12NQ10T,518
Availability: InStock
Rating: 4.9 (360 reviews)

Número da peça MFG: PHK12NQ10T,518

Quantidade disponível: 16040 Peças

Preço de referência: USD 0

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fabricante: NXP USA Inc.

Descrição breve: TrenchMOS™ MOSFET N-CH 100V 11.6A SOT96-1

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: PHK12NQ10T,518.pdf

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PHK12NQ10T,518 Especificações

Número da peça de fabricante	PHK12NQ10T,518
Número da peça futura	FT-PHK12NQ10T,518
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	TrenchMOS™
PHK12NQ10T,518 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	11.6A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	28 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	35nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1965pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	8.9W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	8-SO
Pacote / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PHK12NQ10T,518 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	PHK12NQ10T,518-FT

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