casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar / PEMD2,315
Número da peça de fabricante | PEMD2,315 |
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Número da peça futura | FT-PEMD2,315 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
PEMD2,315 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 22 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1µA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 300mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-666 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PEMD2,315 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | PEMD2,315-FT |
NSVMUN5133DW1T1G
ON Semiconductor
NSVMUN5137DW1T1G
ON Semiconductor
NSVMUN5211DW1T2G
ON Semiconductor
NSVMUN5213DW1T3G
ON Semiconductor
NSVMUN5233DW1T3G
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NSVMUN5235DW1T1G
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NSVMUN5312DW1T3G
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NSVMUN531335DW1T3G
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NSVMUN5334DW1T1G
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SMUN5112DW1T1G
ON Semiconductor
A54SX08-TQG144
Microsemi Corporation
XC2S30-5VQG100C
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M1A3P600-2FG484I
Microsemi Corporation
EPF6010AFC256-3
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5SGXEABK1H40I2N
Intel
XC5VLX30-2FF676C
Xilinx Inc.
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
5AGXMB1G6F31C6N
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