casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / PDTD123TS,126
Número da peça de fabricante | PDTD123TS,126 |
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Número da peça futura | FT-PDTD123TS,126 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
PDTD123TS,126 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 500mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | - |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 50mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | - |
Potência - Max | 500mW |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-92-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDTD123TS,126 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | PDTD123TS,126-FT |
FJN3302RBU
ON Semiconductor
FJN3303RBU
ON Semiconductor
FJN3304RBU
ON Semiconductor
FJN3305RBU
ON Semiconductor
FJN3306RBU
ON Semiconductor
FJN3307RBU
ON Semiconductor
FJN3308RBU
ON Semiconductor
FJN3309RBU
ON Semiconductor
FJN3310RBU
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FJN3311RBU
ON Semiconductor
LCMXO640E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S50A-4VQG100I
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XC3S50-4VQ100I
Xilinx Inc.
APA1000-BGG456I
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M7AFS600-1FG256
Microsemi Corporation
EP4SGX230KF40C2N
Intel
5SGSMD5H1F35C2LN
Intel
XC4036XL-2HQ208C
Xilinx Inc.
EP4SGX230DF29I3
Intel
10CX085YF672I5G
Intel