casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / PDTD123ES,126
NXP USA Inc. PDTD123ES,126
- Número da peça MFG
- PDTD123ES,126
- Quantidade disponível
- 77410 Peças
- Preço de referência
- USD 0
- Nosso preço
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- Data de envio
- Podemos enviar hoje
- fabricante
- NXP USA Inc.
- Descrição breve
- - TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
- Status sem chumbo / status RoHS
- Compatível com RoHS (sem chumbo)
- Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código da data (D / C)
- Novo
- Categoria de Produto
- Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol
- Recurso de estoque
- Distribuidor Franqueado
- garantia
- Garantia de qualidade de 360 dias
- Ficha de dados
- PDTD123ES,126.pdf
PDTD123ES,126 Especificações
| Número da peça de fabricante | PDTD123ES,126 |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-PDTD123ES,126 |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| PDTD123ES,126 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Obsolete |
| Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
| Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 500mA |
| Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Base do Emissor (R2) | 2.2 kOhms |
| Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 50mA, 5V |
| Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
| Freqüência - Transição | - |
| Potência - Max | 500mW |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-92-3 |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| PDTD123ES,126 Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | PDTD123ES,126-FT |
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