casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / PDTD114EQAZ
Número da peça de fabricante | PDTD114EQAZ |
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Número da peça futura | FT-PDTD114EQAZ |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
PDTD114EQAZ Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 500mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 10 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 2.5mA, 50mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA |
Freqüência - Transição | 210MHz |
Potência - Max | 325mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 3-XDFN Exposed Pad |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DFN1010D-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDTD114EQAZ Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | PDTD114EQAZ-FT |
PDTA124TE,115
NXP USA Inc.
PDTA124XE,115
NXP USA Inc.
PDTA143EE,115
NXP USA Inc.
PDTA143TE,115
NXP USA Inc.
PDTA143XE,115
NXP USA Inc.
PDTA143XE,135
NXP USA Inc.
PDTA143ZE,115
NXP USA Inc.
PDTA144EE,115
NXP USA Inc.
PDTA144TE,115
NXP USA Inc.
PDTA144VE,115
NXP USA Inc.