casa / produtos / Sensores, Transdutores / Sensores magnéticos - interruptores (estado sólido / PDRV5013FAQDBZR
Número da peça de fabricante | PDRV5013FAQDBZR |
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Número da peça futura | FT-PDRV5013FAQDBZR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
PDRV5013FAQDBZR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Função | Latch |
Tecnologia | Hall Effect |
Polarização | South Pole |
Faixa de detecção | 2.9mT Trip, -2.9mT Release |
Condição de teste | -40°C ~ 125°C |
Tensão - fonte | 2.5V ~ 38V |
Corrente - Fornecimento (máx.) | 2.7mA (Typ) |
Corrente - Saída (máx) | 30mA |
Tipo de saída | Open Drain |
Características | Temperature Compensated |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C (TA) |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDRV5013FAQDBZR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | PDRV5013FAQDBZR-FT |
A3425LL-T
Allegro MicroSystems, LLC
A3425LLTR-T
Allegro MicroSystems, LLC
ABL004-10
NVE Corp/Sensor Products
AH372-SA-7
Diodes Incorporated
AH372-W-7
Diodes Incorporated
MRMS301A
Murata Electronics North America
MRMS501-001
Murata Electronics North America
MRMS501A
Murata Electronics North America
MRMS501A-001
Murata Electronics North America
MRMS511H
Murata Electronics North America
AX250-1FGG484M
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P400-1PQ208
Microsemi Corporation
EP4CE115F23I7N
Intel
EP3C16F256C8N
Intel
5SGSED8K2F40C2N
Intel
5SGXMA3K3F40C2N
Intel
XC6VLX365T-3FFG1759C
Xilinx Inc.
XC5VTX150T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
M2GL060TS-1FGG676I
Microsemi Corporation