casa / produtos / Sensores, Transdutores / Sensores Ópticos - Fotodiodos / PDB-V216S
Número da peça de fabricante | PDB-V216S |
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Número da peça futura | FT-PDB-V216S |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
PDB-V216S Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Comprimento de onda | 950nm |
Cor - Aprimorado | - |
Faixa espectral | 350nm ~ 1100nm |
Tipo de Diodo | PIN |
Responsividade @ nm | - |
Tempo de resposta | 50ns |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente - Escuro (Tipo) | 1nA |
Área ativa | 2.31mm² (x16) |
Ângulo de visão | - |
Temperatura de operação | -20°C ~ 75°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Array - 16 Element |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDB-V216S Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | PDB-V216S-FT |
PDB-C205
Advanced Photonix
PDB-C206
Advanced Photonix
PDB-C207
Advanced Photonix
PDB-C208
Advanced Photonix
PDB-C208F
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PDB-C210
Advanced Photonix
PDB-C210F
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PDB-C216C
Advanced Photonix
PDB-C216F
Advanced Photonix
PDB-C216S
Advanced Photonix
A54SX32-1TQ144M
Microsemi Corporation
XA6SLX75T-2FGG484Q
Xilinx Inc.
AGLN125V2-VQG100I
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA7K2F40C2LN
Intel
5SGSED6K3F40C3N
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5SGXEABN3F45C4N
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5SGXMA5N1F45C1N
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EP3C40F780C6N
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EP1K30QC208-1
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