casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - RF / PD85006-E
Número da peça de fabricante | PD85006-E |
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Número da peça futura | FT-PD85006-E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
PD85006-E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | LDMOS |
Freqüência | 870MHz |
Ganho | 17dB |
Tensão - Teste | 13.6V |
Classificação atual | 2A |
Figura de ruído | - |
Atual - teste | 200mA |
Potência | 6W |
Voltagem - Rated | 40V |
Pacote / caso | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 10-PowerSO |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PD85006-E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | PD85006-E-FT |
BF909WR,135
NXP USA Inc.
BF998WR,115
NXP USA Inc.
NE34018-64-A
CEL
NE34018-A
CEL
NE34018-T1-64-A
CEL
NE34018-T1-A
CEL
SPF-3143
RFMD
MMBF4416A
ON Semiconductor
MMBF5486
ON Semiconductor
MMBF4416
ON Semiconductor
A1415A-1PQG100C
Microsemi Corporation
XC3S1600E-4FGG400C
Xilinx Inc.
M2GL005S-VFG256I
Microsemi Corporation
5SGSMD8K2F40I3LN
Intel
EP2AGZ350FH29I4N
Intel
10M04SCE144A7G
Intel
A42MX09-2PLG84I
Microsemi Corporation
5CEFA9U19I7N
Intel
10AX115U2F45E2SG
Intel
10AX115R1F40I1SG
Intel