casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - RF / PD20010STR-E
Número da peça de fabricante | PD20010STR-E |
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Número da peça futura | FT-PD20010STR-E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
PD20010STR-E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | LDMOS |
Freqüência | 2GHz |
Ganho | 11dB |
Tensão - Teste | 13.6V |
Classificação atual | 5A |
Figura de ruído | - |
Atual - teste | 150mA |
Potência | 10W |
Voltagem - Rated | 40V |
Pacote / caso | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PowerSO-10RF (Straight Lead) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PD20010STR-E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | PD20010STR-E-FT |
ATF-58143-TR2G
Broadcom Limited
BF1100WR,115
NXP USA Inc.
BF1101WR,115
NXP USA Inc.
BF1101WR,135
NXP USA Inc.
BF1105WR,115
NXP USA Inc.
BF1105WR,135
NXP USA Inc.
BF1109WR,115
NXP USA Inc.
BF1201WR,115
NXP USA Inc.
BF1201WR,135
NXP USA Inc.
BF1202WR,115
NXP USA Inc.