casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - RF / PD20010S-E
Número da peça de fabricante | PD20010S-E |
---|---|
Número da peça futura | FT-PD20010S-E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
PD20010S-E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | LDMOS |
Freqüência | 2GHz |
Ganho | 11dB |
Tensão - Teste | 13.6V |
Classificação atual | 5A |
Figura de ruído | - |
Atual - teste | 150mA |
Potência | 10W |
Voltagem - Rated | 40V |
Pacote / caso | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PowerSO-10RF (Straight Lead) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PD20010S-E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | PD20010S-E-FT |
ATF-58143-TR1G
Broadcom Limited
ATF-58143-TR2G
Broadcom Limited
BF1100WR,115
NXP USA Inc.
BF1101WR,115
NXP USA Inc.
BF1101WR,135
NXP USA Inc.
BF1105WR,115
NXP USA Inc.
BF1105WR,135
NXP USA Inc.
BF1109WR,115
NXP USA Inc.
BF1201WR,115
NXP USA Inc.
BF1201WR,135
NXP USA Inc.
M2GL060-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FG484
Microsemi Corporation
A54SX72A-1FG256
Microsemi Corporation
A42MX16-VQ100
Microsemi Corporation
5SGXMA5H2F35C2LN
Intel
A40MX04-1PL84
Microsemi Corporation
LFXP20E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-256ZE-1MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F1508C4
Intel
EP3C80F780C6N
Intel