casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes / PBSS5260PAP,115
Número da peça de fabricante | PBSS5260PAP,115 |
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Número da peça futura | FT-PBSS5260PAP,115 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
PBSS5260PAP,115 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 PNP (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 2A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 60V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 200mA, 2A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 110 @ 1A, 2V |
Potência - Max | 510mW |
Freqüência - Transição | 100MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-UDFN Exposed Pad |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 6-HUSON-EP (2x2) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PBSS5260PAP,115 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | PBSS5260PAP,115-FT |
SMBT3906DW1T1G
ON Semiconductor
SMBT3946DW1T1G
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LFE2M50E-6F672C
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LCMXO3L-6900C-5BG256I
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