casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes / PBSS5160PAP,115
Número da peça de fabricante | PBSS5160PAP,115 |
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Número da peça futura | FT-PBSS5160PAP,115 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
PBSS5160PAP,115 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 PNP (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 1A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 60V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 340mV @ 100mA, 1A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 500mA, 2V |
Potência - Max | 510mW |
Freqüência - Transição | 125MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-UDFN Exposed Pad |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 6-HUSON-EP (2x2) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PBSS5160PAP,115 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | PBSS5160PAP,115-FT |
MBT3946DW1T2G
ON Semiconductor
SBC847BDW1T1G
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SBC846BDW1T1G
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XC3S1200E-4FGG320C
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XC3S5000-4FGG676I
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Xilinx Inc.
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XC2V2000-6FFG896C
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XC7K325T-1FF900C
Xilinx Inc.
A42MX09-3TQ176I
Microsemi Corporation
LFE2M50SE-5FN900C
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10AX066K3F35E2SG
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EP1C12Q240I7N
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