casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / P2N2907ARL1G
Número da peça de fabricante | P2N2907ARL1G |
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Número da peça futura | FT-P2N2907ARL1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
P2N2907ARL1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 600mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 60V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 10nA |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
Potência - Max | 625mW |
Freqüência - Transição | 200MHz |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-92-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
P2N2907ARL1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | P2N2907ARL1G-FT |
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