casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / NXPSC08650Q
Número da peça de fabricante | NXPSC08650Q |
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Número da peça futura | FT-NXPSC08650Q |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NXPSC08650Q Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
Atual - Média Retificada (Io) | 8A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 8A |
Rapidez | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 0ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 230µA @ 650V |
Capacitância @ Vr, F | 260pF @ 1V, 1MHz |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-2 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220AC |
Temperatura de funcionamento - junção | 175°C (Max) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NXPSC08650Q Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NXPSC08650Q-FT |
CD214B-F2100
Bourns Inc.
CD214B-F2150
Bourns Inc.
CD214B-F2200
Bourns Inc.
CD214B-F2400
Bourns Inc.
CD214B-F250
Bourns Inc.
CD214B-F2600
Bourns Inc.
CD214B-F3100
Bourns Inc.
CD214B-F3150
Bourns Inc.
CD214B-F3200
Bourns Inc.
CD214B-F3400
Bourns Inc.
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel