casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / NXH80T120L2Q0S2G
Número da peça de fabricante | NXH80T120L2Q0S2G |
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Número da peça futura | FT-NXH80T120L2Q0S2G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NXH80T120L2Q0S2G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuração | Three Level Inverter |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 57A |
Potência - Max | 125W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.85V @ 15V, 80A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 300µA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 19.4nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 18-PIM/Q0PACK (55x32.5) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NXH80T120L2Q0S2G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NXH80T120L2Q0S2G-FT |
VS-100MT060WSP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-150MT060WDF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20MT120UFAPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20MT120UFP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25MT060WFAPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-70MT060WHTAPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
2ED300C17SROHSBPSA1
Infineon Technologies
2ED300C17STROHSBPSA1
Infineon Technologies
AIM5C05B060NH
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
AIM5D10B060M1
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
AGL400V5-FGG256
Microsemi Corporation
AX250-2FG256
Microsemi Corporation
LFE5UM-25F-7BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
EPF6016ATI100-2N
Intel
EP3SL50F484I4N
Intel
EP3CLS150F484I7N
Intel
5SGSMD6K3F40I3N
Intel
XC5VLX85T-2FF1136C
Xilinx Inc.
A3PE1500-2FGG676I
Microsemi Corporation