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ON Semiconductor NVTFS6H850NTAG

Name: NVTFS6H850NTAG
Brand: ON Semiconductor
SKU: NVTFS6H850NTAG
Price: 0.391912 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (389 reviews)

Número da peça MFG: NVTFS6H850NTAG

Quantidade disponível: 85520 Peças

Preço de referência: USD 0.391912

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: ON Semiconductor

Descrição breve: Automotive, AEC-Q101 MOSFET N-CH 80V 68A TRENCH 8WDFN

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: NVTFS6H850NTAG.pdf

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NVTFS6H850NTAG Especificações

Número da peça de fabricante	NVTFS6H850NTAG
Número da peça futura	FT-NVTFS6H850NTAG
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	Automotive, AEC-Q101
NVTFS6H850NTAG Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	80V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	11A (Ta), 68A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 70µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	19nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1140pF @ 40V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	3.2W (Ta), 107W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	8-WDFN (3.3x3.3)
Pacote / caso	8-PowerWDFN
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVTFS6H850NTAG Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	NVTFS6H850NTAG-FT

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