casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / NVMS5P02R2G
Número da peça de fabricante | NVMS5P02R2G |
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Número da peça futura | FT-NVMS5P02R2G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
NVMS5P02R2G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 3.95A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33 mOhm @ 5.4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.25V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | - |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 16V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SOIC |
Pacote / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVMS5P02R2G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | NVMS5P02R2G-FT |
MTB30P06VT4G
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